Modèle de Produit

QM800HA-2H

Introduction

Module IGBT haute puissance

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Module IGBT intégré avec isolant à grille bipolar

Capacités élevées de gestion de tension et de courant

Faibles pertes de puissance et haute efficacité

Optimisé pour des commutations à grande vitesse

Performance du Produit

Performance thermique exceptionnelle

Durabilité sous de hautes fréquences de commutation

Convient aux applications haute puissance

Spécifications Techniques

Tension collecteur-émetteur : 1200 V

Courant collecteur : 800 A

Dissipation de puissance : varie selon les conditions d'utilisation

Dimensions, Forme et Conditionnement

Taille de module industriel standard

Forme rectangulaire

Emballage sécurisé pour le transport et la manipulation

Qualité et Fiabilité

Fabriqué selon des normes de contrôle qualité strictes

Performance fiable dans des environnements industriels

Avantages du Produit

Efficacité électrique améliorée

Stabilité thermique robuste

Longue durée de vie opérationnelle avec dégradation minimale

Compétitivité du Produit

Haute performance par rapport aux autres modules IGBT de la même catégorie

Tarification compétitive sur le marché des semi-conducteurs haute puissance

Compatibilité

Compatible avec divers types de circuits et systèmes électroniques haute puissance

Interchangeable avec des modèles similaires pour des mises à niveau ou des remplacements de systèmes

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes de sécurité et d'exploitation internationales

Certifié par des organismes de réglementation majeurs pour les composants électroniques

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durabilité à long terme

Durable avec un faible impact environnemental grâce à une utilisation efficace de l'énergie

Champs d'Application Réels

Utilisé dans les entraînements de véhicules électriques

Systèmes de gestion de l'énergie

Installations d'énergie renouvelable telles que les onduleurs solaires

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